| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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BR100N10 | N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package 文件：1.06059 Mbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 |   | |
BR100N10 | MOSFET/场效应管 | FOSHAN 蓝箭电子 | | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 92A, RDS(ON) = 8.2mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 10.5mW @VGS = 4.5V. | CET-MOS 华瑞 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：583.28 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package 文件：893.02 Kbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | | ||
OptiMOS?? Power-Transistor 文件：420.84 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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