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参考价格：￥4.6121

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型号	功能描述	生产厂家&企业
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BSC020N03LSG	OptiMOS??Power-MOSFET 文件：392.9 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
BSC020N03MSG	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET Features •Optimizedfor5Vdriverapplication(Notebook,VGA,POL) •LowFOMSWforHighFrequencySMPS •100Avalanchetested •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
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G020N03K	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG020N03Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体

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更新时间：2025-7-31 20:00:00

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BSC022N04LSATMA1 功率场效应管
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2023-7-3
BSC028N06NSSCATMA1 功率场效应管
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2020-10-9
BSC018NE2LS
产品属性属性值搜索类似制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS:详细信息技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:TDSON-8 通道数量:1Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:25V Id-连续漏极电流:100A RdsOn-漏源导通电阻:1.8mOhms Vgs-栅极-源极电压:20V Vgs
2019-10-11
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2019-3-7