BSC020N03LS价格

参考价格:¥4.6121

型号:BSC020N03LSG 品牌:Infineon Technologies 备注:这里有BSC020N03LS多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BSC020N03LS批发/采购报价,BSC020N03LS行情走势销售排行榜,BSC020N03LS报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
BSC020N03LS

OptiMOS?? Power-MOSFET

文件:392.9 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS?? Power-MOSFET

Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel; Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • Avalanc

Infineon

英飞凌

OptiMOS?? Power-MOSFET

文件:392.9 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET

Features • Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) • Low FOMSW for High Frequency SMPS • 100 Avalanche tested • N-channel • Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Qualified according to JEDEC1) for target applications

Infineon

英飞凌

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G020N03K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

BSC020N03LS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSC020N03LS

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30 V 100 A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-11 23:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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QFN8
12496
INFINEON/英飞凌原装正品BSC020N03LSG即刻询购立享优惠#长期有货
Infineon(英飞凌)
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