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参考价格：￥4.2162

型号：BSC020N03MSG 品牌：INF 备注：这里有BSC020N03MSG多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，BSC020N03MSG批发/采购报价，BSC020N03MSG行情走势销售排行榜，BSC020N03MSG报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
BSC020N03MSG	OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET Features • Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) • Low FOMSW for High Frequency SMPS • 100 Avalanche tested • N-channel • Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Qualified according to JEDEC1) for target applications	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC020N03LSG	OptiMOS?? Power-MOSFET Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel; Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • Avalanc	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC020N03LS	OptiMOS?? Power-MOSFET 文件：392.9 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC020N03LSG	OptiMOS?? Power-MOSFET 文件：392.9 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
G020N03K	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G020N03K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

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更新时间：2025-11-21 20:00:00

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BSC018NE2LSATMA1 功率场效应管
BSC018NE2LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 BSC070N10NS5SCATMA1
2023-7-3
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2023-7-3
BSC037N025S进口环保原盘原标
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2020-10-9
BSC018NE2LS
产品属性属性值搜索类似制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs
2019-10-11
BSC016N04LSG
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2019-3-7