BSC018NE2LS

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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 19 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

正向跨导 - 最小值: 140 S

下降时间: 3.6 ns

上升时间: 4.4 ns

工厂包装数量: 5000

典型关闭延迟时间: 26 ns

典型接通延迟时间: 5.5 ns