BSC018NE2LS

时间:2019-10-11 11:40:00

产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 19 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.15 mm

正向跨导 - 最小值: 140 S

下降时间: 3.6 ns

上升时间: 4.4 ns

工厂包装数量: 5000

典型关闭延迟时间: 26 ns

典型接通延迟时间: 5.5 ns

2026-1-2 13:28:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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