BF862215

时间:2020-8-5 9:42:00

JFET - 25 V 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , SMD/SMT 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , JFET 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , GaN SiC SMD/SMT 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , JFET N-Channel 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 , MESFET 射

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: NXP

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS: 详细信息

晶体管类型: JFET

技术: Si

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 20 V

Id-连续漏极电流: 40 mA

最大漏极/栅极电压: 20 V

Pd-功率耗散: 300 mW

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

产品: RF JFET

类型: JFET

商标: NXP Semiconductors

产品类型: RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻: -

工厂包装数量: 3000

子类别: Transistors

零件号别名: 934055519215

单位重量: 8 mg

2025-8-14 20:18:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
2021
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