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制造商: NXP
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: JFET
技术: Si
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 20 V
Id-连续漏极电流: 40 mA
最大漏极/栅极电压: 20 V
Pd-功率耗散: 300 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
产品: RF JFET
类型: JFET
商标: NXP Semiconductors
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: -
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: 934055519215
单位重量: 8 mg
