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位置：首页 > IC中文资料第2483页 > AOTF4N60

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
AOTF4N60

600V, 4A N-Channel MOSFET

文件：158.26 Kbytes Page：6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOTF4N60

600V,4A N-Channel MOSFET

文件：454.49 Kbytes Page：6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOTF4N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：315.4 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

AOTF4N60

高压MOSFET (500V - 1000V)

AOS

美国万代

AOTF4N60_002

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：MOSFET N-CH TO220 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

ETC

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Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications

MOTOROLA

摩托罗拉

MGP4N60E

Insulated Gate Bipolar Transistor

Insulated Gate Bipolar Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–blocking capability. Its new 600 V IGBT technology is specifically suited for applications

ONSEMI

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MGP4N60ED

Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode

Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is co–packaged with a soft recovery ultra–fast rectifier and uses an advanced termination scheme to provide an enhanced and reliable high voltage–block

ONSEMI

安森美半导体

PHB4N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

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PHILIPS

飞利浦

PHP4N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

文件：80.57 Kbytes Page：9 Pages

PHILIPS

飞利浦

AOTF4N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AOTF4N60

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

AOTF4N60供应商更多...

更新时间：2026-3-14 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科芯源微电子有限公司
AOTF4N60
AOS/万代
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TO-220F
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瀚佳科技(深圳)有限公司
AOTF4N60
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30980
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深圳市星宇佳科技有限公司
AOTF4N60L
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TO-220F
50
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深圳市华斯顿科技有限公司
AOTF4N60
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深圳市恒凯威科技开发有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
AOTF4N60
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深圳市科恒伟业电子有限公司
AOTF4N60
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AOTF4N60
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原装正品 有挂有货 假一赔十
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上海金庆电子技术有限公司
AOTF4N60
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TO220
4020
全新 发货1-2天
询价

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