AOT262L 全新原装正品，大量现货库存，长期供应.欢迎来电:0755-82810280/18922814782雷小姐QQ1050372272/1522616252.
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 210 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 160 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: N-Channel
商标: Taiwan Semiconductor
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
