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85Watts,860-900MHzCellularRadioRFPowerTransistor

Description The20111isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor25Vdcoperationfrom860to900MHz.Ratedat85wattsminimumoutputpower,itmaybeusedforbothCWandPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallizationareused

Ericsson

Ericsson Microelectronics

Ericsson

NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASIPTB20111isDesignedforGeneralPurposeClassABPowerAmplifierApplicationsupto900MHz. FEATURES: •25W,860-900MHz •SiliconNitridePassivated •Omnigold™MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor, Inc

ASI
更新时间:2024-4-28 19:52:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
ERICSSON/爱立信
22+
NA
1120
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者
ERICSSON
23+
TO-62
3200
专营高频管模块,全新原装!
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