位置：首页 > IC中文资料第2413页 > PTB20111
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PTB20111 | 85Watts,860-900MHzCellularRadioRFPowerTransistor Description The20111isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor25Vdcoperationfrom860to900MHz.Ratedat85wattsminimumoutputpower,itmaybeusedforbothCWandPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallizationareused | Ericsson Ericsson Microelectronics |  |   |
PTB20111 | NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIPTB20111isDesignedforGeneralPurposeClassABPowerAmplifierApplicationsupto900MHz. FEATURES: •25W,860-900MHz •SiliconNitridePassivated •Omnigold™MetalizationSystem | ASI Advanced Semiconductor, Inc |  | |
PTB20111产品属性
- 类型
描述
- 型号
PTB20111
- 功能描述
射频放大器 RF Bipolar Trans
- RoHS
否
- 制造商
Skyworks Solutions, Inc.
- 类型
Low Noise Amplifier
- 工作频率
2.3 GHz to 2.8 GHz
- P1dB
18.5 dBm
- 输出截获点
37.5 dBm
- 功率增益类型
32 dB
- 噪声系数
0.85 dB
- 工作电源电压
5 V
- 电源电流
125 mA
- 测试频率
2.6 GHz
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
QFN-16
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ERICSSON |
23+ |
TO-62 |
3200 |
专营高频管模块,全新原装! |
|||
2017+ |
NA |
28562 |
只做原装正品假一赔十! |
||||
ERICSSON |
18+ |
MODULE |
2175 |
公司大量现货 随时可以发货 |
|||
ERICSSON/爱立信 |
22+ |
NA |
1120 |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
|||
ERICSSON |
24+25+/26+27+ |
TO-62 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
INFINEON |
23+ |
原厂封装 |
7936 |
||||
ERICSSON |
23+ |
TO-62 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
ERICSSON |
800 |
||||||
Infineon |
22+ |
SMD |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
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PTB20111规格书下载地址
PTB20111参数引脚图相关
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2019-10-29
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