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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
PTB20111	85 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor Description The 20111 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 25 Vdc operation from 860 to 900 MHz. Rated at 85 watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司
PTB20111	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI PTB20111 is Designed for General Purpose Class AB Power Amplifier Applications up to 900 MHz. FEATURES: • 25 W, 860-900 MHz • Silicon Nitride Passivated • Omnigold™ Metalization System	ASI Advanced Semiconductor

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更新时间：2025-8-5 18:20:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2025-5-22
PT908-7C-F
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2020-11-3
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1 Output SMD/SMT 非隔离式DC/DC转换器， 0 V to 20 kV 非隔离式DC/DC转换器， Through Hole 3.3 V 非隔离式DC/DC转换器， 9 V to 36 V 非隔离式DC/DC转换器， 5 V 非隔离式DC/DC转换器， 18 V to 28 V 1 Output 非隔离式DC/DC转换器
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2019-10-29