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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • RDS(on) = 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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更新时间:2025-12-26 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
53250
原装现货,当天可交货,原型号开票
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只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
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专注配单,只做原装进口现货
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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原装正品现货支持实单

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    7MB140N-120,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    2020-4-15
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    7MBP75KB060,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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