3DD3晶体管资料
3DD30别名：3DD30三极管、3DD30晶体管、3DD30晶体三极管
3DD30生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD30制作材料：Si-NPN
3DD30性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
3DD30封装形式：直插封装
3DD30极限工作电压：80V
3DD30最大电流允许值：3A
3DD30最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD30引脚数：3
3DD30最大耗散功率：30W
3DD30放大倍数：
3DD30图片代号：B-91
3DD30vtest：80
3DD30htest：999900
- 3DD30atest：3
3DD30wtest：30
3DD30代换 3DD30用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS • Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 |   | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS • Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS ·Designed for B/W TV verticaloutput applications. | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 40V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS ·Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS • Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS • Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 | | ||
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR FEATURES ● High breakdown voltage ● High current capability ● High switching speed ● High reliability ● RoHS product APPLICATIONS ● Energy-saving ligh ● Electronic ballasts ● High frequency switching power supply ● High frequency power transform ● Commonly power amplifier | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 | | ||
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR FEATURES ● High breakdown voltage ● High current capability ● High switching speed ● High reliability ● RoHS product APPLICATIONS ● Energy-saving ligh ● Electronic ballasts ● High frequency switching power supply ● High frequency power transform ● Commonly power amplifier | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 | | ||
双极型晶体管--开关电源用 | CRMICRO 华润微电子 | | ||
双极型晶体管--开关电源用 | CRMICRO 华润微电子 | | ||
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Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 50V(Min) 文件：195.15 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
TRANSISTOR (NPN) 文件：318.08 Kbytes Page：2 Pages | KOOCHIN 灏展电子 | | ||
TRANSISTOR (NPN) 文件：296.92 Kbytes Page：2 Pages | KOOCHIN 灏展电子 | | ||
TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.38154 Mbytes Page：2 Pages | JIANGSU 长电科技 | | ||
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：294.04 Kbytes Page：5 Pages | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 | | ||
丝印代码：D3997；HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：294.04 Kbytes Page：5 Pages | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 | |
3DD3产品属性
- 类型
描述
- VCBO（V）：
800
- IC（A）：
1.2
- Ptot（W）（@25℃）：
0.8
- hFE：
20-35
- 封装形式：
TO-92
- 更新日期：
2017-09-30
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