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3DD301D晶体管资料
3DD301D别名：3DD301D三极管、3DD301D晶体管、3DD301D晶体三极管
3DD301D生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD301D制作材料：Si-NPN
3DD301D性质：行输出 （HA）_电源用 （Reg）
3DD301D封装形式：直插封装
3DD301D极限工作电压：250V
3DD301D最大电流允许值：8A
3DD301D最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD301D引脚数：2
3DD301D最大耗散功率：50W
3DD301D放大倍数：
3DD301D图片代号：E-44
3DD301Dvtest：250
3DD301Dhtest：999900
- 3DD301Datest：8
3DD301Dwtest：50
3DD301D代换 3DD301D用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD301D | iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=150V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=3A APPLICATIONS ·DesignedforB/WTVverticaloutputapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=50V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=3A APPLICATIONS •DesignedforB/WTVverticaloutputapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=3A APPLICATIONS •DesignedforB/WTVverticaloutputapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
3DD301D产品属性
- 类型
描述
- 型号
3DD301D
- 制造商
ISC
- 制造商全称
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述
isc Silicon NPN Power Transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A |
QQ咨询 |
TO-3 |
64 |
全新原装 研究所指定供货商 |
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华晶 |
24+ |
NA/ |
1000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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N/A |
24+ |
TO-3 |
66800 |
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！ |
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华晶 |
23+ |
12+ |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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华晶 |
23+ |
12+ |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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华晶 |
23+ |
SOT223 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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华晶 |
25+ |
TO-251 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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N/A |
24+ |
TO-3 |
200 |
进口原装正品优势供应 |
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华晶 |
18+ |
TO-251 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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HUAJING/华晶 |
24+ |
TO-251 |
60000 |
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