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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD303B | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V(Max) @IC= 0.5A APPLICATIONS • Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 |   | |
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 40V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage-: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS ·Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 | | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A APPLICATIONS • Designed for B/W TV vertical output applications. | ISC 无锡固电 | |
3DD303B产品属性
- 类型
描述
- 型号
3DD303B
- 制造商
ISC
- 制造商全称
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述
isc Silicon NPN Power Transistor
3DD303B规格书下载地址
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