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3DD301B数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min)
• Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V(Max) @IC= 3A
APPLICATIONS
• Designed for B/W TV vertical output applications.
3DD301B产品属性
- 类型
描述
- 型号
3DD301B
- 制造商
ISC
- 制造商全称
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述
isc Silicon NPN Power Transistor
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3DD301B 晶体管资料
3DD301B别名：3DD301B三极管、3DD301B晶体管、3DD301B晶体三极管
3DD301B生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD301B制作材料：Si-NPN
3DD301B性质：行输出 （HA）_电源用 （Reg）
3DD301B封装形式：直插封装
3DD301B极限工作电压：100V
3DD301B最大电流允许值：8A
3DD301B最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD301B引脚数：2
3DD301B最大耗散功率：50W
3DD301B放大倍数：
3DD301B图片代号：E-44
3DD301Bvtest：100
3DD301Bhtest：999900
- 3DD301Batest：8
3DD301Bwtest：50
3DD301B代换 3DD301B用什么型号代替：
Datasheet数据表PDF页码索引
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