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3DD303B中文资料

厂家型号

3DD303B

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

3DD303B数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min)

• Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V(Max) @IC= 0.5A

APPLICATIONS

• Designed for B/W TV vertical output applications.

3DD303B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    3DD303B

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    isc Silicon NPN Power Transistor

更新时间:2025-10-30 14:17:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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