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3DD301B晶体管资料
3DD301B别名：3DD301B三极管、3DD301B晶体管、3DD301B晶体三极管
3DD301B生产厂家：中国大陆半导体企业
3DD301B制作材料：Si-NPN
3DD301B性质：行输出 （HA）_电源用 （Reg）
3DD301B封装形式：直插封装
3DD301B极限工作电压：100V
3DD301B最大电流允许值：8A
3DD301B最大工作频率：<1MHZ或未知
3DD301B引脚数：2
3DD301B最大耗散功率：50W
3DD301B放大倍数：
3DD301B图片代号：E-44
3DD301Bvtest：100
3DD301Bhtest：999900
- 3DD301Batest：8
3DD301Bwtest：50
3DD301B代换 3DD301B用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
3DD301B | iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=50V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=3A APPLICATIONS •DesignedforB/WTVverticaloutputapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=3A APPLICATIONS •DesignedforB/WTVverticaloutputapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=150V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=3A APPLICATIONS ·DesignedforB/WTVverticaloutputapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | |
3DD301B产品属性
- 类型
描述
- 型号
3DD301B
- 制造商
ISC
- 制造商全称
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述
isc Silicon NPN Power Transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
华晶 |
25+ |
TO-92 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
华晶 |
23+ |
12+ |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
N/A |
24+ |
TO-3 |
200 |
进口原装正品优势供应 |
|||
华晶 |
18+ |
TO-251 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
华晶 |
23+ |
SOT223 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
24+ |
N/A |
52000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
华晶 |
1215+ |
TO-251 |
150000 |
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应. |
|||
华晶 |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
N/A |
QQ咨询 |
TO-3 |
64 |
全新原装 研究所指定供货商 |
|||
华晶 |
22+ |
TO-251 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
3DD301B芯片相关品牌
3DD301B规格书下载地址
3DD301B参数引脚图相关
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