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SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION The 2SJ600 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. FEATURES • Low on-state resistance: RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –13 A) RDS(on)2 = 79 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –13 A) • Low Ciss: Ciss = 1900 pF TYP. • Built-

NEC

瑞萨

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SJ600 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver. FEATURES • Low on-state resistance: RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –13 A) RDS(on)2 = 79 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –13 A) • Low in

RENESAS

瑞萨

MOS Field Effect Transistor

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KEXIN

科信电子

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

P-Channel MOSFET

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KEXIN

科信电子

2SJ600-AZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ600-AZ

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Cut Tape

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    Pch MOSFET,60V,25A,41m ohm,TO-251

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-251

更新时间:2026-1-27 20:38:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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