型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ553L

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ553L

Silicon P Channel MOS FET

• Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

2SJ553L

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

• Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

• Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

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RENESAS

瑞萨

2SJ553L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ553L

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon P Channel MOS FET

更新时间:2025-11-25 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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