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2SJ553(L)_15

Silicon P Channel MOS FET

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RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

• Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

• Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-10-11 13:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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TO-263
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