型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ553L-E

Silicon P Channel MOS FET

• Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

• Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

• Low on-resistance RDS(on)= 0.028Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

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RENESAS

瑞萨

2SJ553L-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ553L-E

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) LDPAK(L) Box Tray

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    Pch MOSFET,60V,30A,28m ohm,LDPAK-L

更新时间:2026-1-27 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
2016+
TO263
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
RENESAS
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专做原装正品,假一罚百!
HITACHI/日立
2450+
SOT-263
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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
HITACHI
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TO-263
36800
HIT
24+
NA
5500
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
RENESAS
25+
TO-263
583
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
NK/南科功率
2025+
TO-252
986966
国产
RENESAS/瑞萨
2023+
TO-263
8635
一级代理优势现货,全新正品直营店
RENESAS/瑞萨
22+
SOT263
20000
公司只有原装 品质保证
RENESAS/瑞萨
20+
TO-263
32500
现货很近!原厂很远!只做原装

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