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SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.11Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching

HitachiHitachi, Ltd.

日立公司

Hitachi

SiliconPChannelMOSFET

Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.11Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:1.58356 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscP-ChannelMOSFETTransistor

文件:298.69 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SiliconPChannelMOSFET

Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.11Ωtyp. •Lowdrivecurrent •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2024-6-3 22:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
R
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
VBsemi/台湾微碧
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INFINEON/英飞凌
21+
TO-220FM
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