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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ526

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.11 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ526

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.11 Ω typ. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

2SJ526

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=-12A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · High fast switching Power Supply

ISC

无锡固电

2SJ526

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

2SJ526

isc P-Channel MOSFET Transistor

文件:298.69 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

2SJ526

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.58356 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.11 Ω typ. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

文件:110.36 Kbytes Page:10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ526产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装类型:

    TO-220FM

  • Nch/Pch:

    Pch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    -60

  • ID (A):

    -12

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    230

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    150

  • Ciss (pF) 典型值:

    580

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    -2

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    25

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

更新时间:2026-5-14 19:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
20+
TO-220
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS/瑞萨
24+
TO-251
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS
23+
NA
630
专做原装正品,假一罚百!
RENESAS
25+
700
公司现货库存
RENESAS
24+
60000
HITACHI/日立
22+
TO-251
20000
公司只有原装 品质保证
VBsemi
25+
TO220F
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
VBSEMI
25+
TO220F
1005
全新 发货1-2天
RENESAS/瑞萨
2511
TO-251
1218
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
NEC
26+
X3-DFN060
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百

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