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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

* Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at V GS = –10V, ID= –5A) * Low drive current * High speed switching * 4V gate drive devices.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.065 Ωtyp. (at VGS = –10V, ID= –5A) • Low drive current • High speed switching • 4V gate drive devices.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

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RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-11-23 8:10:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SI
25+
TO-92-2
860000
明嘉莱只做原装正品现货
RENESAS
2023+
TO252
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
HITACHI/日立
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
7948
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
52
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
HITACHI
18+
SOT-252
1988
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
SI
23+
TO-92-2
4000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
RENESAS/瑞萨
25+
TO-252
32360
RENESAS/瑞萨全新特价2SJ506STR-E即刻询购立享优惠#长期有货
RenesasElectronicsCorpor
23+
NA
1286
专做原装正品,假一罚百!
RENESAS/瑞萨
2450+
SOT252
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

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