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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SiliconNPNTripleDiffused SiliconNPNTripleDiffused Application Powerswitching | HitachiHitachi, Ltd. 日立公司 |  |   | |
SiliconNPNTripleDiffused SiliconNPNTripleDiffused Application Powerswitching | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=5A •LowSaturationVoltage APPLICATIONS •Designedforpowerswitchingapplications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
SiliconNPNTripleDiffused SiliconNPNTripleDiffused Application Powerswitching | HitachiHitachi, Ltd. 日立公司 | | | |
SiliconNPNTripleDiffused SiliconNPNTripleDiffused Application Powerswitching | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TO-220 |
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2018-12-19
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