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2SD1126	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 5A • Low Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for power switching applications.	ISC 无锡固电	ISC
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更新时间：2025-11-19 22:30:00

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