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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SD1126	Silicon NPN Triple Diffused Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1126	Silicon NPN Triple Diffused Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1126	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 5A • Low Saturation Voltage APPLICATIONS • Designed for power switching applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SD1126	Transistors>Switching/Bipolar	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1126K	Silicon NPN Triple Diffused Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1126K	Silicon NPN Triple Diffused Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1126(K)	Silicon NPN Darlington Transistor	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

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更新时间：2026-7-22 16:01:00

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深圳市河锋鑫科技有限公司	2SD1126(K)	HITACHI/日立	17+	TO-220	31518	原装正品可含税交易	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SD1126K	HITACHI/日立	23+	TO-220	5880	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价

2SD1616AG-TO92B-G-TG_UTC代理商
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2023-2-27
2SD1624G-SOT89R-T-TG_UTC代理商
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2023-2-14
2SD1616AG-TO92B-Y-TG_UTC代理商
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2023-2-8
2SC5569G-SOT89R-TG
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2023-1-30
2SC5826中文资料库
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2019-2-15
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2018-12-19