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2SC4226晶体管资料

  • 2SC4226别名：2SC4226三极管、2SC4226晶体管、2SC4226晶体三极管

  • 2SC4226生产厂家：日本日电公司

  • 2SC4226制作材料：Si-NPN

  • 2SC4226性质：表面帖装型 （SMD）_甚高频 （VHF）_超高频/特高频

  • 2SC4226封装形式：贴片封装

  • 2SC4226极限工作电压：12V

  • 2SC4226最大电流允许值：0.1A

  • 2SC4226最大工作频率：4.5GHZ

  • 2SC4226引脚数：3

  • 2SC4226最大耗散功率：

  • 2SC4226放大倍数：

  • 2SC4226图片代号：H-15

  • 2SC4226vtest：12

  • 2SC4226htest：4500000000

  • 2SC4226atest：.1

  • 2SC4226wtest：0

  • 2SC4226代换 2SC4226用什么型号代替：BFR106,2SC3775,

2SC4226价格

参考价格：￥0.3100

型号：2SC4226 品牌：RENESAS 备注：这里有2SC4226多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，2SC4226批发/采购报价，2SC4226行情走势销售排行榜，2SC4226报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
2SC4226

HIGHFREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORSUPERMINIMOLD

DESCRIPTION The2SC4226isalowsupplyvoltagetransistordesignedforVHF,UHFlownoiseamplifier. Itissuitableforahighdensitysurfacemountassemblysincethetransistorhasbeenappliedsmallminimoldpackage. FEATURES •LowNoise NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
2SC4226

NPNSiliconEpitaxialTransistor

Features ●Lownoiseandhighgain. NF=1.2dBTyp.@VCE=3V,IC=7mA,f=1.0GHz ●Highgain. |S21e|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
2SC4226

NPNSiliconPlasticEncapsulatedTransistor

FEATURE •The2SC4226isaLowsupplyvoltagetransistor designedforVHF,UHFlownoiseamplifier •Suitableforahighdensitysurfacemountassembly sincethetransistorhasbeenapplied smallminimoldpackage

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SC4226

NPNSiliconRFTransistorNPNEpitaxialSiliconRFTransistorforHigh-FrequencyLow-NoiseAmplification3-pinsuperMinimold

NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforHigh-FrequencyLow-NoiseAmplification3-pinsuperMinimold DESCRIPTION TheNE85630/2SC4226isalowsupplyvoltagetransistordesignedforVHF,UHFlownoiseamplifier.Itissuitableforahighdensitysurfacemountassemblysincethetransistorhasbe

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC4226

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●Lownoise. ●Highgain. ●Powerdissipation.(PC=150mW) APPLICATIONS ●Highfrequencylownoiseamplifier.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SC4226

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC4226

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •LowCollectorCurren-IC=0.1A •LowCollectorPower—Pc=0.1W WithSOT-323Package •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforbroadbandlownoiseamplifier; widebandlownoiseamplifie

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
2SC4226

SiliconTransistor

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC4226

SiliconTransistor

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC4226

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：258.519 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SC4226

2SC4226isanultra-highfrequencylow-noisetransistor,usingplanarNPNsiliconoutside

文件：685.71 Kbytes Page：5 Pages

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH
2SC4226A

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC4226B

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC4226C

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC4226D

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC4226E

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR Externalbipolarprocess,withhighpowergainLownoisecharacteristics.Theadoptionofsubmit-niatureSOT-323package,Especiallysuitableforhighdensitysurfacepatchinstallation,mainlyfortheVHF,UHFlownoiseamplifier. Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Va

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科广东時科微实业有限公司

SKTECHNOLGY
2SC4226-T1

NPNSiliconRFTransistorNPNEpitaxialSiliconRFTransistorforHigh-FrequencyLow-NoiseAmplification3-pinsuperMinimold

NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforHigh-FrequencyLow-NoiseAmplification3-pinsuperMinimold DESCRIPTION TheNE85630/2SC4226isalowsupplyvoltagetransistordesignedforVHF,UHFlownoiseamplifier.Itissuitableforahighdensitysurfacemountassemblysincethetransistorhasbe

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC4226-T1-A

NPNSiliconRFTransistorNPNEpitaxialSiliconRFTransistorforHigh-FrequencyLow-NoiseAmplification3-pinsuperMinimold

NPNEpitaxialSiliconRFTransistorforHigh-FrequencyLow-NoiseAmplification3-pinsuperMinimold DESCRIPTION TheNE85630/2SC4226isalowsupplyvoltagetransistordesignedforVHF,UHFlownoiseamplifier.Itissuitableforahighdensitysurfacemountassemblysincethetransistorhasbe

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
2SC4226W

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES Lownoise. Highgain. Powerdissipation.(PC=150mW) APPLICATIONS Highfrequencylownoiseamplifier.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司

BILIN
2SC4226_11

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：258.519 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SC4226_15

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

文件：258.62 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SECOS
2SC4226-A

封装/外壳：SC-70，SOT-323 包装：托盘 描述：RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SC70-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
2SC4226-T1-A

封装/外壳：SC-70，SOT-323 包装：托盘 描述：RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

2SC4226产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SC4226

  • 制造商

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述

    TRANSISTOR

2SC4226供应商更多...

更新时间：2024-4-18 21:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市科创腾达科技有限公司
2SC4226
NEC
20+
SOT-323
69680
全新原装热卖
询价
深圳市卓越微芯电子有限公司
2SC4226
NEC
2020+
SOT
92
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
2SC4226-T1
NEC
21+
SOT-323
9800
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
询价
深圳好佳好科技有限公司
2SC4226
NEC
13+
SOT-323
80000
现货长期供应,价格优势,质量保证。可17%税
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深圳市博浩通科技有限公司
2SC4226
NEC
23+
SOT323
31000
全新原装
询价
深圳市振宏微科技有限公司
2SC4226
SOT-323
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
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深圳市正纳电子有限公司
2SC4226R25
Renesas(瑞萨)
23+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
询价
深圳市环球伟业电子有限公司
2SC4226
NEC/Renesas Electronics Americ
21+
SOT-323
10052
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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深圳市星宇佳科技有限公司
2SC4226
TASUND泰盛达/RENESAS
2020
SOT-323
1000000
询价
深圳市明嘉莱科技有限公司
2SC4226IB
23+
SMD
618000
明嘉莱只做原装正品现货
询价

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