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2SB62晶体管资料

2SB62别名：2SB62三极管、2SB62晶体管、2SB62晶体三极管
2SB62生产厂家：日本东芝公司
2SB62制作材料：Ge-PNP
2SB62性质：低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
2SB62封装形式：直插封装
2SB62极限工作电压：60V
2SB62最大电流允许值：0.5A
2SB62最大工作频率：<1MHZ或未知
2SB62引脚数：2
2SB62最大耗散功率：4W
2SB62放大倍数：
2SB62图片代号：E-44
2SB62vtest：60
2SB62htest：999900
2SB62atest：0.5
2SB62wtest：4

2SB62代换 2SB62用什么型号代替：AD262,3AK51,

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
2SB621	Silicon PNP epitaxial planer type Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● High transition frequency fT.	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB621A	Silicon PNP epitaxial planer type Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● High transition frequency fT.	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SB624	AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD DESCRIPTION The 2SB624 is designed for use in small type equipments especially recommended for hybrid integrated circuit and other applications.	NEC 瑞萨	NEC
2SB624	PNP Epitaxial Planar Transistors	WEITRON	WEITRON
2SB624	丝印代码：BV*；Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES High DC current gain.hFE: 200TYP (VCE=-1.0V,IC=-100mA) Complimentary to the 2SD596. APPLICATIONS Audio frequency amplifier. Switching appilication.	BILIN 银河微电	BILIN
2SB624	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ● Complimentary to 2SD596.	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB624	PNP Silicon Epitaxial Transistor ■ Features ● High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ● Complimentary to 2SD596.	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB624	TRANSISTOR(PNP) FEATURES High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) Complimentary to 2SD596.	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SB624	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features High hFE, complementary pair with 2SD596. Applications Audio frequency amplifier application.	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SB624	丝印代码：BV；Micro package High dc current gain FEATURES ● Micro package. ● High dc current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SB624	PNP Transistors ■ Features ● High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ● Complimentary to 2SD596.	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SB624	PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor FEATURES  High DC Current Gain. hFE：200 (Typ.) (VCE= -1V, IC= -100mA)  Complimentary to 2SD596	SECOS 喜可士	SECOS
2SB624	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ● Complimentary to 2SD596.	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SB624	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.7 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SB624	Plastic-Encapsulate Transistors Applications: Used in power amplifier circuit, complementary to 2SD596.	SHENZHENSLS 三联盛	SHENZHENSLS
2SB624	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -0.7 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃	TEL	TEL
2SB624	Small Signal Bipolar Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB624A	SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD FEATURES • Complementary to NEC 2SD596A NPN Transistor. • High DC Current Gain: hFE = 200 TYP. (VCE = −1.0 V, IC = −100 mA) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) Collector to Base Voltage VCBO −30 V Collector to Em	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SB624-BV1	丝印代码：BV1；PNP Transistors ■ Features ● High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ● Complimentary to 2SD596.	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SB624-BV2	丝印代码：BV2；PNP Transistors ■ Features ● High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ● Complimentary to 2SD596.	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SB624-BV3	丝印代码：BV3；PNP Transistors ■ Features ● High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ● Complimentary to 2SD596.	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SB624-BV4	丝印代码：BV4；PNP Transistors ■ Features ● High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ● Complimentary to 2SD596.	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SB624-BV5	丝印代码：BV5；PNP Transistors ■ Features ● High DC current gain. hFE:200 TYP.(VCE=-1V,IC=-100mA) ● Complimentary to 2SD596.	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SB624-T1B	AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD DESCRIPTION The 2SB624 is designed for use in small type equipments especially recommended for hybrid integrated circuit and other applications.	NEC 瑞萨	NEC
2SB628	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) • Complement to Type 2SD608 APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier and low speed switching applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SB628	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High VCEO APPLICATIONS • Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB621A	SILICON TRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2SB624	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SB624	丝印代码：BV1/BV2/BV3/BV4/BV5；Audio frequency amplifier. 文件：1.16292 Mbytes Page：2 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
2SB624	丝印代码：BV*；Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：261.579 Kbytes Page：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SB624_0712	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：273.01 Kbytes Page：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SB624_12	Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：261.579 Kbytes Page：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SB624_15	PNP Transistors 文件：387.39 Kbytes Page：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB624_15	PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor 文件：427.83 Kbytes Page：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB624_15	TRANSISTOR 文件：149.57 Kbytes Page：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SB624-BV1	PNP Transistors 文件：387.39 Kbytes Page：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB624-BV1-HF	PNP Transistors 文件：401.12 Kbytes Page：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB624-BV2	PNP Transistors 文件：387.39 Kbytes Page：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB624-BV2-HF	PNP Transistors 文件：401.12 Kbytes Page：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB624-BV3	PNP Transistors 文件：387.39 Kbytes Page：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB624-BV3-HF	PNP Transistors 文件：401.12 Kbytes Page：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB624-BV4	PNP Transistors 文件：387.39 Kbytes Page：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB624-BV4-HF	PNP Transistors 文件：401.12 Kbytes Page：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB624-BV5	PNP Transistors 文件：387.39 Kbytes Page：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB624-BV5-HF	PNP Transistors 文件：401.12 Kbytes Page：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB624-HF_15	PNP Transistors 文件：401.12 Kbytes Page：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SB625	Silicon PNP Power Transistor 文件：249.04 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB626	Silicon PNP Power Transistor 文件：127.55 Kbytes Page：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB626	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：248.91 Kbytes Page：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB628	Silicon PNP Power Transistors 文件：91.34 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

2SB62产品属性

类型
描述
Maximum Transition Frequency：
200(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
750mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Collector Emitter Voltage：
25V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.4@50mA@500mAV
Maximum Collector Base Voltage：
30V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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更新时间：2026-5-14 22:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	2SB624	NEC	24+	SOT-23	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	2SB624A	RENESAS/瑞萨	23+	SOT-23	100586	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SB624-T1B-A	RENESAS/瑞萨	25+	SOT-23	32000	RENESAS/瑞萨全新特价2SB624-T1B-A即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	2SB624	CJ	2450+	SOT23	9850	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	2SB624	NEC	26+	SOT-23	8293	代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	2SB624	NEC	24+		8858	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市腾亿芯科技有限公司	2SB624	Bychip/百域芯	25+	SOT-23	20000	原装	询价
深圳市中飞凌科技有限公司	2SB624-TB1	RENESAS	26+	SOT23	360000	进口原装现货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	2SB624	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市正纳电子有限公司	2SB624-T1B-A	Renesas(瑞萨)	23+	原厂封装	32078	10年以上分销商,原装进口件,服务型企业	询价

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2SA928AL-TO92NLB-Y-TG
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2SB649 MOS
www.jskj-ic.com
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2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
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