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2SB628	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High VCEO APPLICATIONS • Low frequency power amplifier color TV vertical deflection output	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB628	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -160V(Min) • Complement to Type 2SD608 APPLICATIONS • Designed for audio frequency power amplifier and low speed switching applications.	ISC 无锡固电	ISC
2SB628	Silicon PNP Power Transistors 文件：91.34 Kbytes Page：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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更新时间：2026-5-14 22:59:00

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2023-3-14
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2021-9-10
2SB1386-P-PNP硅外延晶体管
2SB1386-P :PNP硅外延晶体管的特点如下： ·低集电极饱和电压 ·Execllent电流增益特性 ·无铅完成/符合RoHS（“P”字后缀指定符合RoHS标准。见订购信息） ·环氧符合UL 94V -0阻燃等级 · Moisure敏感度等级1 2SB1386-P/2SB1386-Q/2SB1386-R 是微型商业组件公司的产品型号
2012-11-9