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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2N60Z

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

The UTC 2N60Z is a high voltage power MOSFET and is  designed to have better characteristics, such as fast switching  time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power suppl • RDS(ON) = 5Ω@VGS = 10V \n• Ultra Low gate charge (typical 9.0nC) \n• Low reverse transfer capacitance (CRSS = typical 5.0 pF) \n• Fast switching capability \n• Avalanche energy specified \n• Improved dv/dt capability, high ruggedness;

UTC

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2N60Z

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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2N60ZL

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

The UTC 2N60ZL is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PW • RDS(ON) = 5Ω@VGS = 10V \n• Low reverse transfer capacitance (CRSS = typical 5.0 pF) \n• Avalanche energy specified \n• Improved dv/dt capability, high ruggedness;

UTC

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2N60ZG-TF3-T

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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2N60ZG-TM3-T

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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2N60ZG-TN3-R

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N60ZG-TN3-T

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N60ZL

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N60ZLG-TM3-T

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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2N60ZLG-TN3-R

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N60ZLL-TM3-T

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N60ZLL-TN3-R

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N60ZLL-TN3-R

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

2N60ZLL-TN3-T

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

2N60ZL-TF3-T

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N60ZL-TM3-T

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N60ZL-TM3-T

丝印代码：IPAK；N-Channel 650 V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

2N60ZL-TN3-R

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

2N60ZL-TN3-R

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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2N60ZL-TN3-T

2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：239.6 Kbytes Page：6 Pages

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2N60ZL-TN3-T

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.08609 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MTP2N60

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS

TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand h

MOTOROLA

摩托罗拉

MTP2N60E

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS

TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand h

MOTOROLA

摩托罗拉

PHB2N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications. The PHP2N60E is supplied

PHILIPS

飞利浦

PHP2N60E

PowerMOS transistors Avalanche energy rated

GENERAL DESCRIPTION N-channel, enhancement mode field-effect power transistor, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications. The PHP2N60E is supplied

PHILIPS

飞利浦

MTB2N60E

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS

文件：271.17 Kbytes Page：10 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

2N60Z产品属性

  • 类型

    描述

  • VGS(±V)：

    ±20

  • ID(A)：

    2

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V：

    5000

  • CISSTYP.(pF)：

    432.1

  • COSSTYP.(pF)：

    39.8

  • CRSSTYP.(pF)：

    7.9

  • QgTYP.(nC)：

    19

  • QgsTYP.(nC)：

    5.4

  • QgdTYP.(nC)：

    4.3

  • VGS(th)(V)MIN.：

    2

  • VGS(th)(V)MAX.：

    4

  • TrrTYP.(nS)：

    222.6

  • QrrTYP.(nC)：

    3100

  • Package：

    TO-251_TO-220F_TO-252_TO-126

2N60Z供应商更多...

更新时间：2026-8-1 16:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
千层芯半导体(深圳)有限公司
2N60ZG
ON
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SMD
12000
原厂/代理渠道价格优势
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上海金庆电子技术有限公司
2N60ZG
ON
0612+
TO-251
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深圳市东来宝电子科技有限公司
2N60ZG
ON/安森美
24+
TO251
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
2N60ZG
ON/安森美
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TO220
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中天科工半导体（深圳）有限公司
2N60ZG
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深圳市安富世纪电子有限公司
2N60ZGIC
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深圳市河锋鑫科技有限公司
2N60ZG-TN3-T
UTC/友顺
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32500
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富凯科技(深圳）有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
2N60ZL-TF3-T
UTC/友顺
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TO-220F
79999
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价

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