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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MTB2N60E

TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTS

文件：271.17 Kbytes Page：10 Pages

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MTB2N60E

HighEnergyPowerFET

文件：269.88 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2N60

2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2N60

N2Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET

Description TheET2N60N-CeannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. Features ●RDS(ON)=5.00Ω@VGS=10V ●Lowgatecharge

ESTEKEstek Electronics Co. Ltd

伊泰克电子北京伊泰克电子有限公司

ESTEK
2N60

2Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

TheUTC2N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowerupplies,PWM

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
2N60

600VN-ChannelPowerMOSFET

Features ●RDS(ON)

DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd.

迪一电子山东迪一电子科技有限公司

DYELEC
2N60

2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

文件：1.34834 Mbytes Page：13 Pages

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

WXDH

MTB2N60E供应商更多...

更新时间：2025-7-5 9:19:00
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