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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MTP2N60 | TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  |   |
MTP2N60 | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistor N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage−blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE−FETisdesignedtowithstandhi | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 |  | | |
TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | | | |
PowerFieldEffectTransistor 文件：215.56 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
N2Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET Description TheET2N60N-CeannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. Features ●RDS(ON)=5.00Ω@VGS=10V ●Lowgatecharge | ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克电子北京伊泰克电子有限公司 |  | | |
2Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET TheUTC2N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowerupplies,PWM | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
600VN-ChannelPowerMOSFET Features ●RDS(ON) | DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司 |  | | |
2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：1.34834 Mbytes Page：13 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 |  | |
MTP2N60产品属性
- 类型
描述
- 型号
MTP2N60
- 制造商
MOTOROLA
- 制造商全称
Motorola, Inc
- 功能描述
TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
24+ |
TO 220 |
161155 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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ON |
23+ |
TO-220 |
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24+ |
N/A |
2520 |
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TO-220 |
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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MOT |
06+ |
TO-220 |
1800 |
全新原装 绝对有货 |
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MOT/ON |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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2021-12-28MTP10-B7F55 代理库存
原厂原包装绝无虚假假一罚十
2020-6-4MTP10N08，MTP10N10，MTP10N10E，MTP10N10EL，MTP10N12，
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类型描述选取全部项目 类别电缆，电线-管理 电缆扎带-支座和附件 制造商PanduitCorp 系列MTP 零件状态有源 类型多开 安装类型螺钉-#6 大小/尺寸4.25长x0.50宽x0.12高（107.9mmx12.7mmx3.0mm） 配套使用产品/相关产品M，I，S束带 材料尼龙 颜色天然
2019-10-30MTMC8E02LBF
MTMC8E02LBF，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291，
2019-4-9
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