位置:首页 > IC中文资料第6963页 > MTP2N60E
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MTP2N60E | TMOSPOWERFET2.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=3.8OHMS TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandh | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 | ||
MTP2N60E | N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistor N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage−blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE−FETisdesignedtowithstandhi | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | ||
MTP2N60E | N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | ||
MTP2N60E | PowerFieldEffectTransistor 文件:215.56 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
N2Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET Description TheET2N60N-CeannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. Features ●RDS(ON)=5.00Ω@VGS=10V ●Lowgatecharge | ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd | |||
2Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET TheUTC2N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowerupplies,PWM | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | |||
600VN-ChannelPowerMOSFET Features ●RDS(ON) | DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司 | |||
2A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件:1.34834 Mbytes Page:13 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 |
MTP2N60E产品属性
- 类型
描述
- 型号
MTP2N60E
- 制造商
MOTOROLA
- 制造商全称
Motorola, Inc
- 功能描述
TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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ST |
TO-220F |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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ST-意法半导体 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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ON |
22+ |
TO-220 |
286 |
正规渠道,只有原装! |
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ON |
N/A |
5400 |
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ST |
23+ |
TO-TO-220F |
37650 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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O |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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O |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原装正品 |
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ON |
1932+ |
TO-220 |
286 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
MTP2N60E规格书下载地址
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2019-10-30MTMC8E02LBF
MTMC8E02LBF,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291,
2019-4-9
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