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位置：首页 > IC中文资料 > 04N60

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SID04N60-C

丝印代码：04N60；N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：244.02 Kbytes Page：3 Pages

SECOS

喜可士

04N60

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.94923 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60C2

Cool MOS™ Power Transistor

Feature\n• New revolutionary high voltage technology\n• Ultra low gate charge\n• Periodic avalanche rated\n• Extreme dv/dt rated\n• Ultra low effective capacitances\n• Improved noise immunity

INFINEON

英飞凌

04N60C2

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.94929 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60C2

丝印代码：D2PAK；N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件：2.12878 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60C2_V01

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件：2.12878 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60C3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.94936 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60C3

丝印代码：D2PAK；N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件：2.1288 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60C3_V01

N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件：2.1288 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60H-HF

Power MOSFET

文件：1.94027 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60H-H-HF

Power MOSFET

文件：1.94029 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60I

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件：62.82 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

04N60J

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件：64.16 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

04N60S5

丝印代码：D2PAK；N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET

文件：2.1288 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SGB04N60

Fast IGBT in NPT-technology

Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution

INFINEON

英飞凌

SGD04N60

Fast IGBT in NPT-technology

Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution

INFINEON

英飞凌

SKB04N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications

INFINEON

英飞凌

SKP04N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications

INFINEON

英飞凌

CMT04N60

POWER MOSFET

文件：329.86 Kbytes Page：7 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

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更新时间：2026-5-23 15:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中天科工半导体（深圳）有限公司
SID01-01
FUJI
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
询价
深圳市中联芯电子有限公司
SID01-01
FUJITSU/富士通
25+
MODULE
271
主打螺丝模块系列
询价
深圳市一线半导体有限公司
SID
24+
3000
自己现货
询价
深圳市河锋鑫科技有限公司
SID02N65SL
V
TO-251
22+
6000
十年配单,只做原装
询价
瀚佳科技(深圳)有限公司
SID01-01
FUJI
24+
MODULE
2100
公司大量全新现货 随时可以发货
询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
SID01-02
FUJI/富士电机
23+
MODULE
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价
京海半导体(深圳)有限公司
SID02N65SL
VB
25+
TO-251
10000
原装现货假一罚十
询价
兆亿微波(北京)科技有限公司
SID002SP3
仕芯
783
询价
深圳市粤科源兴科技有限公司
SID00237
13+
TO-92
14758
原装分销
询价
上海意淼电子科技有限公司
SID01-12
FUJI
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
询价

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