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04N60C3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
04N60C3

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.95Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

CoolMOSPowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

N-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-5-29 9:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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标准封装
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公司只做原装,详情请咨询
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