SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23
SI2304DDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.3A
Rds（最大）@ ID，VGS 60 mOhm @ 3.2A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 2.2V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 6.7nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 235pF @ 15V
功率 - 最大 1.7W
安装类型 *_
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 3.3 A
RDS -于 60@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 12 ns
典型上升时间 50 ns
典型下降时间 22 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1100
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 60@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 3.3
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.3A (Ta)， 3.6A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 2.2V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 30V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 60 mOhm @ 3.2A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.7W
输入电容（Ciss ） @ VDS 235pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 6.7nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2304DDS-T1-GE3CT
连续漏极电流 3.3 A
栅源电压（最大值） ?20 V
功率耗散 1.1 W
漏源导通电阻 0.06 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 30 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :3.6A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :0.049ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :2.2V
功耗 :1.1W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :3.3A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Voltage Vgs Max :20V
Weight (kg) 0.000008
Tariff No. 85412900
