SI2304BDS-T1-GE3 单N 沟道30V 0.07Ohm 0.75W 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.6A
Rds(最大)@ ID,VGS 70 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 4nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 225pF @ 15V
功率 - 最大 750mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 2.6 A
RDS -于 70@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 7.5 ns
典型上升时间 12.5 ns
典型关闭延迟时间 19 ns
典型下降时间 15 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 750
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 70@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 2.6
封装 Tape and_Reel
铅形状 Gull-wing
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.6A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 70 mOhm @ 2.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 750mW
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 225pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 4nC @ 5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2304BDS-T1-GE3CT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 2.6 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 70 mOhms
功率耗散 750 mW
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 TO-236-3
零件号别名 SI2304BDS-GE3
上升时间 12.5 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 12.5 ns
Continuous Drain Current Id :3.2A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :105mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :20V
Threshold Voltage Vgs :3V
No. of Pins :3
Weight (kg) 1
Tariff No. 85412900