H5TQ4G83CFR-RDC 品牌HYNIX 数量:16000 批号:18+ 封装:FBGA 全新原装现
H5TQ4G83CFR-RDC规格：
H5TQ4G83CFR-RDC 参数：
该H5TQ4G43AFR - XXC ， H5TQ4G83AFR - XXC和H5TQ4G63AFR - XXC是4Gb
CMOS双数据速率III
（ DDR3 ）同步DRAM ，非常适合需要大容量存储器主存储器的应用
密度和高带宽。 4GB DDR3 SDRAM芯片提供参考利培两者完全同步操作
荷兰国际集团和下降沿的时钟的边缘。而所有地址和控制输入锁存的上升沿
在CK （属于CK的边缘） ，数据，数据选通信号和写数据掩码输入采样两个利培
荷兰国际集团和下降它的边缘。的数据通路内部流水线和8位预取，以达到非常高的
带宽。
设备特点及订购信息
特点:? VDD = VDDQ = 1.5V +/- 0.075V
?全差分时钟输入（ CK ， CK ）操作
? 8banks ?平均更新周期（的温度上限0oC~ 95oC)
?差分数据选通（ DQS ， DQS ）
- 7.8微秒的0oC ~ 85oC- 3.9μs的85oC ~ 95oC
?片上DLL对齐DQ ， DQS和DQS与CK过渡
?过渡? JEDEC标准78ball FBGA （ X4 / X8 ） ， 96ball FBGA （ X16
? DM口罩写入数据中的上升沿和下降沿
??选择EMRS驱动力
数据选通的边缘
?动态片上终端支持
?所有的地址和控制输入数据以外的数据
?异步复位引脚支持
选通信号和数据掩码锁存的上升沿时钟
? ZQ校准支持?可编程CAS延时5 ， 6 ， 7 ， 8 ， 9 ， 10 ， 11 ， 13和14支持
?可编程附加延迟是0，CL -1和CL -2支持?可编程CAS写入延迟（ CWL ） = 5 ， 6 ， 7 8 ， 9 ，
10
?可编程突发长度4/8既蚕食顺序和交错模式? BL的飞行开关
?? TDQS （终止数据选通）支持（ X8只）
?写Levelization支持? 8位预取?本产品符合RoHS指令。
