SI2302CDS-T1-GE3 20V 710mW SOT-23-3 Power MOSFET
SI2302CDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id 850mV @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 5.5nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 -
功率 - 最大 710mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 2.6 A
RDS -于 57@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 8 ns
典型上升时间 7 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 20 V
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 2.6 A
抗漏源极RDS （ ON） 0.057 Ohms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23-3
封装 Reel
下降时间 7 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 710 mW
上升时间 7 ns
工厂包装数量 3000
零件号别名 SI2302CDS-GE3
最大门源电压 ±8
包装宽度 1.4(Max)
PCB 3
最大功率耗散 710
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 57@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 3.04(Max)
引脚数 3
包装高度 1.02(Max)
最大连续漏极电流 2.6
铅形状 Gull-wing
P（ TOT ） 0.71W
匹配代码 SI2302CDS
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 N-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我（D ） 2.6A
V（ DS ） 20V
R（ DS上） 0.075Ohm
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.6A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 850mV @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 710mW
漏极至源极电压（Vdss） 20V
闸电荷（Qg ） @ VGS 5.5nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2302CDS-T1-GE3CT
类别 Power MOSFET
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
身高 1.02mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 0.057 Ω
最大功率耗散 0.71 W
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 3.5 nC V @ 4.5
宽度 1.4mm
RDS（ON） 57 mOhms
漏极电流（最大值） 2.6 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?8 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.057 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :2.9A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :57mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :8V
Threshold Voltage Vgs :850mV
功耗 :710mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
Current Id Max :2.9A
Junction Temperature Tj Max :150°C
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :20V
Voltage Vgs Max :850mV
Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V
Voltage Vgs th Max :0.85V
Voltage Vgs th Min :0.4V
Weight (kg) 0.000008
Tariff No. 85412900
associated SI2302CDS-T1-GE3
EYGA091203SM
