IRLML6302TRPBF Infineon -20V -0.78A P沟道功率MOSFET
IRLML6302TRPBF产品详细规格
封装 Reel
产品 MOSFET Small Signal
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 20 V
晶体管极性 P-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 600 mOhms
工厂包装数量 3000
品牌 Infineon Technologies
Id - Continuous Drain Current - 620 mA
长度 2.9 mm
身高 1.1 mm
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23-3
通道数 1 Channel
Qg - Gate Charge 2.4 nC
Pd - Power Dissipation 540 mW
晶体管类型 1 P-Channel
技术 Si
RoHS RoHS Compliant
Vgs - Gate-Source Voltage 12 V
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