IRLML5203TRPBF INFINEON MOSFET，P CH -30V -3A SOT23
IRLML5203TRPBF产品详细规格
高度 1.02mm
晶体管材料 Si
类别 功率 MOSFET
长度 3.04mm
典型输入电容值@Vds 510 pF@ -25 V
通道模式 增强
安装类型 表面贴装
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 165 mΩ
通道类型 P
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
最大栅阈值电压 2.5V
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 1.25 W
最大栅源电压 ±20 V
宽度 1.4mm
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
最小栅阈值电压 1V
最大漏源电压 30 V
典型接通延迟时间 12 ns
典型关断延迟时间 88 ns
封装类型 SOT-23
最大连续漏极电流 3 A
引脚数目 3
晶体管配置 单
典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC
安装风格 SMD/SMT
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 30 V
晶体管类型 1 P-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 165 mOhms
工厂包装数量 3000
品牌 Infineon Technologies
封装/外壳 SOT-23-3
身高 1.1 mm
封装 Reel
长度 2.9 mm
通道数 1 Channel
Qg - Gate Charge 9.5 nC
Pd - Power Dissipation 1.25 W
Id - Continuous Drain Current - 3 A
晶体管极性 P-Channel
技术 Si
RoHS RoHS Compliant
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