IRLML5103TRPBF INFINEON 30V 540W 3.4nC
IRLML5103TRPBF产品详细规格
安装类型 表面贴装
晶体管材料 Si
类别 功率 MOSFET
长度 3.04mm
典型输入电容值@Vds 75 pF@ 25 V
系列 HEXFET
通道模式 增强
高度 1.02mm
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 600 mΩ
最大栅阈值电压 1V
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
通道类型 P
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 0.54 W
最大栅源电压 ±20 V
宽度 1.4mm
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm
最小栅阈值电压 1V
最大漏源电压 30 V
典型接通延迟时间 10 ns
典型关断延迟时间 23 ns
封装类型 SOT-23
最大连续漏极电流 760 mA
引脚数目 3
晶体管配置 单
典型栅极电荷@Vgs 3.4 nC @ 10 V
工厂包装数量 3000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 30 V
晶体管极性 P-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage - 1 V
Qg - Gate Charge 3.4 nC
封装/外壳 SOT-23-3
下降时间 16 ns
封装 Reel
产品 MOSFET Small Signal
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
晶体管类型 1 P-Channel
正向跨导 - 闵 0.44 S
Id - Continuous Drain Current - 760 mA
长度 2.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 600 mOhms
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 23 ns
身高 1.1 mm
安装风格 SMD/SMT
典型导通延迟时间 10 ns
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 540 mW
上升时间 8.2 ns
技术 Si
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主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
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