超高灵敏度 Sub-1GHz 射频收发器(射频芯片)

ZT1826内置国产自主可控调制解调技术Adv-MFSK®，拥有极高灵敏度射频收发芯片,极限灵敏度可达-149dBm。相比其他LPWAN芯片，速率最高可达200kbps，除了适用于大多数LPWAN场景，也适用于工业、光伏、电力等对速率有较高要求的场景，在200kbps速率下，灵敏度可达-104dBm。除此之外该芯片有128-byte Tx/Rx FIFO, 丰富的 GPIO，自动频率/增益控制等配置，还支持QPSK，(G)FSK，OOK等调制方式。 基本特性\r\n•接收灵敏度 -149dBm@31bps -114dBm@64kbps -134dBm@1kbps-104dBm@200kbps\r\n•自动频率控制(AFC)\r\n•发射电流 69mA@17dBm\r\n•自动增益控制(AGC)\r\n•调制方式 Adv-MFSK®,QPSK.(G)FSK.OOK等\r\n•供电类型 1.8-3.6V\r\n•外设接口 1xSPI8xGPIO PA RAMP\r\n•工作温度 -40°C~+85°C\r\n•储存温度 -50-C~+1509C\r\n;

Amplifier Transistors(NPN)

Aplifier Transistors NPN Silicon

Amplifier Transistors(NPN)

Aplifier Transistors NPN Silicon

POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W)

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS

LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

• High Gain, Rugged Device • Broadband Performance from HF to 1 GHz • Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common Mode Inductances

LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

• High Gain, Rugged Device • Broadband Performance from HF to 1 GHz • Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common Mode Inductances