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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

MOSFET - Power, N?륝hannel, SUPERFET III, FAST

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ONSEMI

安森美半导体

MOSFET - Power, N?륝hannel, SUPERFET III, FAST 650 V, 165 m, 19 A

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-16 23:01:01
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