| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery t | Motorola 摩托罗拉 |   | ||
TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technolgy the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection. It is intended for use in DC | Philips 飞利浦 | | ||
N-Channel 60 V(D-S) MOSFET 文件：1.08726 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM 文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages | Motorola 摩托罗拉 | | ||
TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.12 OHM 文件：212.82 Kbytes Page：8 Pages | Motorola 摩托罗拉 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MYSON |
23+ |
QFP128 |
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东芝 |
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MYSON |
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2022-2-16YT8618
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