YMN08TB1B1HU1B YMTC/长江存储
长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时*业界*最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。
截至目前长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心，全球共有员工8000余人，其中研发工程技术人员6000余人。通过不懈努力和技术创新，致力于成为存储技术的领先者，全球半导体产业的核心价值贡献者。
*发布之时指2020年4月10日，业界指全球全部3D NAND闪存颗粒原厂，最高的I/O速度指1600MT/s，符合当时ONFI最高标准，最高存储密度指当时业界相同容量的芯片横向对比中长江存储X2-9070面积更小，最高的单颗容量指的是单颗裸片(die) 1.33Tb容量
长江存储新一代嵌入式存储产品，符合JEDEC UFS 3.1标准。该产品采用基于晶栈®Xtacking®3.0的长江存储TLC 3D NAND打造，具备高性能、低功耗、稳定可靠等特性；引入多极自主优化（Hint HID）、行为日志（Trace Dump）等创新功能；产品设计128GB、256GB及512GB三种容量规格。
经过多次技术迭代，UC341方案成熟，产品可靠，供应平稳，为旗舰智能手机、高端笔记本、VR/AR以及其他AIoT设备提供理想存储解决方案。
高性能 提供更佳存储体验
UC341拥有行业领先的性能，能快速存取海量数据、高效响应操作指令，为用户提供更佳的存储体验。
低功耗设计 降低发热延长续航
UC341采用低功耗设计，在游戏、视频、社交等高负载工况下，功耗表现低于行业平均水平，能降低设备发热，延长整体续航，提升用户体验。
多极自主优化（Hint HID）、行为日志（Trace Dump）等创新功能
全新升级的多极自主优化（Hint HID）功能，自主识别细碎文件，智能主动化碎片管理，优化碎片文件读写性能，有效减少系统卡顿。
引入行为日志（Trace Dump）功能，实时记录发生错误时运行的命令序列以及状态，快速定位根因，为产品的维护提供数据参考。
晶栈®Xtacking®3.0技术
UC341采用长江存储晶栈®Xtacking®3.0技术打造的三维闪存芯片，拥有行业领先的I/O速度、更高的存储密度及更高的品质。
成熟稳定的产品方案 安全平稳的供应体系
经过多次技术迭代,UC341技术方案安全成熟, 产品设计稳定可靠；长江存储原厂制造，能为客户提供安全、平稳的产品供应。
