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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MTB23P06

TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS

TMOSV™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MTB23P06

TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS

TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponents

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MTB23P06E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MTB23P06E

TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS

TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponents

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MTB23P06V

TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS

TMOSV™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

X23P06E供应商更多...

更新时间：2024-6-22 16:09:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
中科航电（深圳）电子集团有限公司
MTB23P06V
ON
TO-263
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深圳市赛特兴科技有限公司
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MTB23P06V
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深圳市昌和盛利电子有限公司
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23+
TO-263
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
MTB23P06V
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2023+
TO-263
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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