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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MTB23P06V

TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS

TMOSV™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MTB23P06V

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MTB23P06V

P?묬hannelPowerMOSFET

文件：263.53 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MTB23P06V

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件：1.32134 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
MTB23P06

TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS

TMOSV™PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MTB23P06

TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS

TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponents

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MTB23P06VT4

P?묬hannelPowerMOSFET

文件：263.53 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MTB23P06E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MTB23P06E

TMOSPOWERFET23AMPERES60VOLTS

TMOSE-FET™HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponents

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

MTB23P06V产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTB23P06V

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

MTB23P06V供应商更多...

更新时间：2024-5-26 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
MTB23P06V
ON/安森美
23+
NA/
33561
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TO-263
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ON/安森美
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SOT-263
100000
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ON/安森美
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