| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VPTF1-28 | HIGH RELIABILITY COTS EMI FILTERS 文件：910.05 Kbytes Page：8 Pages | VPT |   | |
Breakover Diodes Breakover Diodes Applications ● Transient voltage protection ● High-voltage switches ● Crowbar ● Lasers ● Pulse generators Single Breakover Diode Breakover Diode Modules | IXYS 艾赛斯 | | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI VHB1-28T is Designed for Class C, 28 V High Band Applications up to 175 MHz. FEATURES: • Class C Operation • PG = 13 dB at 1.0 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System | ASI | | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 文件：27.95 Kbytes Page：2 Pages | ASI | | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 文件：17.69 Kbytes Page：1 Pages | ASI | | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 文件：18.32 Kbytes Page：1 Pages | ASI | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VPT |
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